发明专利 一种H-3碳化硅PN型同位素电池及其制造方法 专利号：2018112699087 专利类型 发明专利 申请号 2018112699087 申请年份 2018 专利状态 已下证可转让 领域：半导体器件 微型核能源器件 同位素电池 MEMS系统长效微型供电 H-3碳化硅PN型同位素电池
