发明专利

沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺

专利号：2018114792926

专利类型

发明专利

申请号

2018114792926

申请年份

2018

专利状态

已下证可转让

领域：半导体半导体衬底集成电路 CVD 化学刻蚀硅薄膜

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