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发明专利

一种基于蜀葵茎秆合成g-C3N4/C复合材料的方法

专利号:2021116358609
发明专利
2021116358609
2021
已下证可转让
领域:无机非金属半导体 光催化 光伏光能效率 清洁能源 环境治理 有机污染物治理

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