发明专利 一种基于蜀葵茎秆合成g-C3N4/C复合材料的方法 专利号：2021116358609 专利类型 发明专利 申请号 2021116358609 申请年份 2021 专利状态 已下证可转让 领域：无机非金属半导体 光催化 光伏光能效率 清洁能源 环境治理 有机污染物治理
