发明专利 一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法 专利号：2022111745597 专利类型 发明专利 申请号 2022111745597 申请年份 2022 专利状态 已下证可转让 领域：集成半导体电路、忆阻器、类脑人工神经网络、边缘计算、感存算一体、存储芯片、微电子薄膜
