发明专利 一种高密度SiC枝晶阵列场发射阴极材料及其制备方法 专利号：2023102314360 专利类型 发明专利 申请号 2023102314360 申请年份 2023 专利状态 已下证可转让 领域：纳米材料 碳化硅材料 半导体方法 化合物半导体材料 正极材料 负极材料 晶体材料
