发明专利 高配位镝单离子磁体及其制备方法和应用（稀土永磁 磁性材料 内存条 储存卡 硬盘 U盘 云计算 信息储存 算力） 专利号：2024108785047 专利类型 发明专利 申请号 2024108785047 申请年份 2024 专利状态 已下证可转让 领域：稀土永磁 磁性材料 内存卡 内存条 电感器 变压器 电机 硬盘 U盘 芯片 半导体 储存设备 信息储存 光盘 硬磁盘 量子计算机 算力 云计算
