发明专利 一种离子插层剥离MoS2获得片状结构的方法（半导体纳米材料 二硫化钼 芯片 电路板 集成电力 pcb板） 专利号：2023101063810 专利类型 发明专利 申请号 2023101063810 申请年份 2023 专利状态 已下证可转让 领域：【半导体纳米材料 二硫化钼 芯片 电路板 集成电力 pcb板】提了
