发明专利 衰减相移掩模版及其制程方法 专利号：2020111366483 专利类型 发明专利 申请号 2020111366483 申请年份 2020 专利状态 已下证可转让 领域：半导体制造 半导体制程 光刻掩模技术 衰减相移掩模版 相移掩模 PSM 光刻分辨率增强
